Journal of Communications Technology and ElectronicsJournal of Communications Technology and ElectronicsРадиотехника и электроника0033-84943034-5901The Russian Academy of Sciences65045210.31857/S0033849423100194DMYCRXНАНОЭЛЕКТРОНИКАUnknownSpin magnetoresistance of thin film structures of manganite and material with strong spin-orbit interaction.Спиновое магнетосопротивление тонкопленочных структур из манганита и материала с сильным спин-орбитальным взаимодействиемUl'evG. D.УльевГ. Д.gdulev@edu.hse.ruConstantinianK. I.КонстантинянК. И.gdulev@edu.hse.ruMoskal'Y. E.МоскальИ. Е.gdulev@edu.hse.ruOvsyannikovG. A.ОвсянниковГ. А.gdulev@edu.hse.ruShadrinA. V.ШадринА. В.gdulev@edu.hse.ruKotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics, Russian Academy of SciencesИнститут радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАНNational Research University Higher School of EconomicsНациональный исследовательский университет “Высшая школа экономики”Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)01102023681098498831012025Copyright ©; 2023, Г.Д. Ульев, К.И. Константинян, И.Е. Москаль, Г.А. Овсянников, А.В. ШадринCopyright ©; 2023, Г.Д. Ульев, К.И. Константинян, И.Е. Москаль, Г.А. Овсянников, А.В. Шадрин2023Г.Д. Ульев, К.И. Константинян, И.Е. Москаль, Г.А. Овсянников, А.В. ШадринГ.Д. Ульев, К.И. Константинян, И.Е. Москаль, Г.А. Овсянников, А.В. Шадринhttps://innoscience.ru/0033-8494/article/view/650452

The results of the experimental determination of the spin Hall angle in a two-layer metal/ferromagnet structure Pt/La_0.7 Sr_0.3 MnO_3, obtained from the angular dependences of the longitudinal and transverse spin magnetoresistance in the planar Hall effect configuration are presented. The spin Hall angle determined from the longitudinal magnetoresistance was θ_Hx ≈ 0.016, and from transverse θ_Hy ≈ 0.018, while for SrIrO_3/La_0.7 Sr_0.3 MnO_3 heterostructures the ratio of the transverse to longitudinal spin Hall angle turned out to be significantly higher, θ_Hy/θ_Hx ≈ 9, which is most likely caused by the formation of a layer with high conductivity at the SrIrO_3 boundary /La_0.7 Sr_0.3 MnO_3.

Представлены результаты экспериментального определения спинового угла Холла в двухслойной структуре металл/ферромагнетик Pt/La0.7Sr0.3MnO3, полученные из угловых зависимостей продольного и поперечного спинового магнетосопротивления в конфигурации планарного эффекта Холла. Определенная из продольного магнетосопротивления величина спинового угла Холла составила θHx ≈ 0.016, а из поперечного θHy ≈ 0.018, в то время как для гетероструктур SrIrO3/La0.7Sr0.3MnO3 отношение величин поперечного спинового угла Холла к продольному оказалось значительно выше, θHy/θHx ≈ 9, что вызвано, скорее всего, образованием слоя с высокой проводимостью на границе SrIrO3/La0.7Sr0.3MnO3.

spin Hall angletwo-layer metal/ferromagnet structurelongitudinal and transverse spin magnetoresistanceАвторы благодарны Т.А. Шайхулову за изготовление эпитаксиальных пленок, а также В.А. Шмакову, Ю.В. Кислинскому и А.М. Петржику за помощь в работе и полезные замечания.Hirsch J.E. // Phys. Rev. Lett. 1999. V. 83. № 9. P. 1834.Zhang S.F. // Phys. Rev. Lett. 2000. V. 85. № 2. P. 393.Miron I.M., Garello K., Gaudin G. et al. // Nature. 2011. V. 476. P. 189.Jungwirth T., Wunderlich J., Olejn K. et al. // Nat. Mater. 2012. V. 11. P. 382.Sinova J., Valenzuela S.O., Wunderlich J. et al. // Rev. Mod. Phys. 2015. V. 87. P. 1213.Chen Y.-T., Takahashi S., Nakayama H. et al. // J. Phys.: Condens. Matt. 2016. V. 28. № 10. Article No. 103004.Saitoh E., Ueda M., Miyajima H., Tatara S. // Appl. Phys. Let. 2006. V. 88. № 18. Article No. 182509.Константинян К.И., Овсянников Г.А., Шадрин А.В. и др. // ФТТ. 2022. Т. 64. № 10. С. 1429.Huang X., Sayed S., Mittelstaedt J. et al. // Adv. Mater. 2021. V. 33. Article No. 2008269.Yoo M.-W., Tornos J., Sander A. et al. // Nature Comm. 2021. V. 12. P. 3283.Perna P., Maccariello D., Ajejas F. et al. //Adv. Funct. Mater. 2017. V. 27. № 17. Article No. 1700664.Ovsyannikov G.A., Shaikhulov T.A., Stankevich K.L. et al. // Phys. Rev. B 2020. V. 102. № 14. Article No. 144401.Lee H.K., Barsukov I., Swartz A.G. et al. // AIP Advances. 2016. V. 6. № 5. Article No. 055212.Овсянников Г.А., Константинян К.И, Калачев Е.А., Климов А.А. // Письма в ЖТФ. 2022. Т. 48. № 12. С. 44.Tserkovnyak Ya., Brataas A., Bauer G.E.W. // Phys. Rev. Lett. 2002. V. 88. № 11. Article No. 117601.Dubowik J., Graczyk P., Krysztofik A. et al. // Phys. Rev. Appl. 2020. V. 13. № 5. Article No. 054011.Wang Y., Deorani P., Qiu X. et al. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. № 15. Article No. 152412.Nan T., Anderson T.J., Gibbons J. et al. // Proc. Nat. Acad. Sci. USA. 2019. V. 116. P. 6186.Marmion S.R., Ali M., McLaren M. et al. // Phys. Rev. B. 2014. V. 89. № 22. Article No. 220404(R).Константинян К.И., Ульев Г.Д., Овсянников Г.А. и др. // Труды XXVII Междунар. cимп. “Нанофизика и наноэлектроника”. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2023. Т. 1. С. 221.