Journal of Communications Technology and ElectronicsJournal of Communications Technology and ElectronicsРадиотехника и электроника0033-84943034-5901The Russian Academy of Sciences65045610.31857/S0033849423100133DOCWBTPHYSICAL PROCESSES IN ELECTRONIC DEVICESФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХUnknownEffect of crystallographic orientation on the phase transition of a finite TiNi shape memory alloy wafer.Влияние кристаллографической ориентации на фазовый переход конечной пластины из сплава с эффектом памяти формы TiNiPavlovA. I.ПавловА. И.Alex.pav.2001@yandex.ruKartsevA. I.КарцевА. И.Alex.pav.2001@yandex.ruKoledovV. V.КоледовВ. В.Alex.pav.2001@yandex.ruLegaP. V.ЛегаП. В.Alex.pav.2001@yandex.ruBauman Moscow State Technical UniversityМосковский государственный университет им. Н.Э. БауманаRUDN UniversityРоссийский университет дружбы народовComputational Center of Far East branch Russian Academy of SciencesВычислительный центр ДВО РАНKotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics, Russian Academy of SciencesИнститут радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН0110202368101035103931012025Copyright ©; 2023, А.И. Павлов, А.И. Карцев, В.В. Коледов, П.В. ЛегаCopyright ©; 2023, А.И. Павлов, А.И. Карцев, В.В. Коледов, П.В. Лега2023А.И. Павлов, А.И. Карцев, В.В. Коледов, П.В. ЛегаА.И. Павлов, А.И. Карцев, В.В. Коледов, П.В. Легаhttps://innoscience.ru/0033-8494/article/view/650456

A simulation of a TiNi shape memory alloy plate was carried out at various crystallographic orientations using a free package for classical molecular dynamics LAMMPS. It was found that the crystallographic orientation of the plate has a significant effect on the phase transition temperature. The dependence of surface energy on temperature for crystallographic orientations (100), (110), (112), (122) was constructed. The stability of the model used was investigated, as a result of which its applicability in these calculations was confirmed.

Проведено моделирование пластины из сплава с памятью формы TiNi при различных кристаллографических ориентациях с помощью свободного пакета для классической молекулярной динамики LAMMPS. Выяснено, что кристаллографическая ориентация пластины оказывает существенное влияние на температуру фазового перехода. Построена зависимость поверхностной энергии от температуры при кристаллографических ориентациях (100), (110), (112), (122). Исследована устойчивость используемой модели, в результате чего подтверждена ее применимость в данных расчетах.

shape memoryclassical molecular dynamicsphase transition temperatureТрусов С.Н., Чернявские А.Г. // ЖТФ. 1996. Т. 66. № 11. С. 153.Лохов В.А., Кучумов А.Г. // Рос. журн. биомеханики. 2006. № 3. С. 41.Aviram A., Ratner M.A. // Chem. Phys. Lett. 1974. V. 29. № 2. P. 277.Chernozatonskii L.A., Kosakovskaja Z.J., Fedorov E.A., Panov V.I. // Phys. Lett. A. 1995. V. 197. № 1. P. 40.Антропов А.П., Зайцев Н.К., Рябков Е.Д. и др. // Тонкие химические технологин. 2021. Т. 16. № 2. С. 105.Franklin A.D., Luisier M., Han S.J. et al. // Nano Lett. 2012. V. 12. № 2. P. 758.Hills G., Lau C., Wright A. et al. // Nature. 2019. V. 572. № 7771. P. 595.Zhang Y.L., Li J., To S. et al. // Nanotechnology. 2012. V. 23. P. 1063.Budhia H., Kreith F. // Int. J. Heat Mass Transf. 1973. V. 16. № 1. P. 195.Chang J., Sakai T., Saka H. // Philos. Magazine Lett. 2005. V. 85. № 5. P. 247.Ko W.S., Grabowski B., Neugebauer J. // Phys. Rev. B. 2015. V. 92. № 13. Article No. 134107.Kartsev A.I., Lega P.V., Orlov A.P. et al. // Nanomaterials. 2022. V. 12. P. 1107.Nosé S. // J. Chem. Phys. 1984. V. 81. № 1. P. 511.Hoover W.G. // Phys. Rev. A. 1985. V. 31. № 3. P. 1695.