<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE root>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="other" dtd-version="1.2" xml:lang="en"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">Journal of Communications Technology and Electronics</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="en">Journal of Communications Technology and Electronics</journal-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Радиотехника и электроника</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn publication-format="print">0033-8494</issn><issn publication-format="electronic">3034-5901</issn><publisher><publisher-name xml:lang="en">The Russian Academy of Sciences</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="publisher-id">650460</article-id><article-id pub-id-type="doi">10.31857/S0033849423100066</article-id><article-id pub-id-type="edn">YZFXBY</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="toc-heading"><subject>ЭЛЕКТРОНИКА СВЧ</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="article-type"><subject>Unknown</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Design of superconducting integrated matching structures.</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Проектирование сверхпроводниковых интегральных согласующих структур</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><name-alternatives><name xml:lang="en"><surname>Khan</surname><given-names>F. V.</given-names></name><name xml:lang="ru"><surname>Хан</surname><given-names>Ф. В.</given-names></name></name-alternatives><email>khanfv@hitech.cplire.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff1"/><xref ref-type="aff" rid="aff2"/></contrib><contrib contrib-type="author"><name-alternatives><name xml:lang="en"><surname>Atepalikhin</surname><given-names>A. A.</given-names></name><name xml:lang="ru"><surname>Атепалихин</surname><given-names>А. А.</given-names></name></name-alternatives><email>khanfv@hitech.cplire.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff1"/><xref ref-type="aff" rid="aff2"/></contrib><contrib contrib-type="author"><name-alternatives><name xml:lang="en"><surname>Filippenko</surname><given-names>L. V.</given-names></name><name xml:lang="ru"><surname>Филиппенко</surname><given-names>Л. В.</given-names></name></name-alternatives><email>khanfv@hitech.cplire.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><name-alternatives><name xml:lang="en"><surname>Koshelets</surname><given-names>V. P.</given-names></name><name xml:lang="ru"><surname>Кошелец</surname><given-names>В. П.</given-names></name></name-alternatives><email>khanfv@hitech.cplire.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff1"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff1"><aff><institution xml:lang="en">Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics, Russian Academy of Sciences</institution></aff><aff><institution xml:lang="ru">Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН</institution></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff2"><aff><institution xml:lang="en">Moscow Institute of Physics and Technology (National Research University)</institution></aff><aff><institution xml:lang="ru">Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)</institution></aff></aff-alternatives><pub-date date-type="pub" iso-8601-date="2023-10-01" publication-format="electronic"><day>01</day><month>10</month><year>2023</year></pub-date><volume>68</volume><issue>10</issue><fpage>1003</fpage><lpage>1007</lpage><history><date date-type="received" iso-8601-date="2025-01-31"><day>31</day><month>01</month><year>2025</year></date></history><permissions><copyright-statement xml:lang="en">Copyright ©; 2023, Ф.В. Хан, А.А. Атепалихин, Л.В. Филиппенко, В.П. Кошелец</copyright-statement><copyright-statement xml:lang="ru">Copyright ©; 2023, Ф.В. Хан, А.А. Атепалихин, Л.В. Филиппенко, В.П. Кошелец</copyright-statement><copyright-year>2023</copyright-year><copyright-holder xml:lang="en">Ф.В. Хан, А.А. Атепалихин, Л.В. Филиппенко, В.П. Кошелец</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="ru">Ф.В. Хан, А.А. Атепалихин, Л.В. Филиппенко, В.П. Кошелец</copyright-holder></permissions><self-uri xlink:href="https://innoscience.ru/0033-8494/article/view/650460">https://innoscience.ru/0033-8494/article/view/650460</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>Superconducting integrated structures intended for matching generator impedances based on a distributed Josephson junction and detector based on a superconductor–insulator–superconductor tunnel junction in the subterahertz frequency range. The structures were modeled using the transfer matrix method. The designs were calculated in a three-dimensional numerical modeling program. A qualitative agreement was found between the results obtained by the two methods. Three designs have been designed with various topologies covering the frequency range 250...680 GHz at a level of –2 dB</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p id="idm45257551849776">Разработаны и исследованы сверхпроводниковые интегральные структуры, предназначенные для согласования импедансов генератора на основе распределенного джозефсоновского перехода и детектора на основе туннельного перехода сверхпроводник–изолятор–сверхпроводник в субтерагерцовом диапазоне частот. Проведено моделирование структур с помощью метода матриц передачи. Выполнен расчет дизайнов в программе численного трехмерного моделирования. Найдено качественное соответствие результатов, полученных двумя методами. Спроектированы три дизайна с различными топологиями, покрывающие частотный диапазон 250…680 ГГц по уровню –2 дБ.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="en"><kwd>superconductor–insulator–superconductor tunnel junction</kwd><kwd>subterahertz frequency range</kwd><kwd>transfer matrix method</kwd></kwd-group><funding-group><funding-statement xml:lang="ru">Авторы благодарны за возможность доступа к оборудованию уникальной научной установки “Криоинтеграл” (№ 352529), поддержанной в рамках соглашения Министерства науки и высшего образования РФ (RF-2296.61321X0041); оборудование было использовано при изготовлении образцов и проведении исследований.</funding-statement></funding-group></article-meta></front><body></body><back><ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation>De Lange G., Boersma D., Dercksen J. et al. // Superconductor Sci. Technol. 2010. V. 23. № 4. P. 045016. https://doi.org/10.1088/0953-2048/23/4/045016</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation>Billade B., Pavolotsky A., Belitsky V. // IEEE Trans. 2013. V. TST-3. № 4. P. 416. https://doi.org/10.1109/TTHZ.2013.2255734</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>3.</label><mixed-citation>Kinev N.V., Rudakov K.I., Filippenko L.V., Koshelets V.P. // Phys. Solid State. 2021. V. 63. P. 1414. https://doi.org/10.1134/S1063783421090171</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>4.</label><mixed-citation>Fominsky M.Yu., Filippenko L.V., Chekushkin A.M. et al. // Electronic 2021. V. 10. № 23. P. 2944. https://doi.org/10.3390/electronics10232944</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>5.</label><mixed-citation>Chenu J.Y., Navarrini A., Bortolotti Y. et al. // IEEE Trans. 2016. V. TST-6. № 2. P. 223. https://doi.org/10.1109/TTHZ.2016.2525762</mixed-citation></ref><ref id="B6"><label>6.</label><mixed-citation>Шмидт В.В. Введение в физику сверхпроводников. М.: МЦНМО, 2000.</mixed-citation></ref><ref id="B7"><label>7.</label><mixed-citation>Tucker J.R., Feldman M.J. // Rev. Mod. Phys. 1985. V. 57. № 4. P. 1055. https://doi.org/10.1103/RevModPhys.57.1055</mixed-citation></ref><ref id="B8"><label>8.</label><mixed-citation>Хан Ф.В., Атепалихин А.А., Филиппенко Л.В., Кошелец В.П. // РЭ. 2023. Т. 68. № 9. С. 904.</mixed-citation></ref><ref id="B9"><label>9.</label><mixed-citation>Фуско В. СВЧ цепи. М.: Радио и связь, 1990.</mixed-citation></ref><ref id="B10"><label>10.</label><mixed-citation>Frickey D.A. // IEEE Trans. 1994. V. MTT-42. № 2. P. 205. https://doi.org/10.1109/22.275248</mixed-citation></ref><ref id="B11"><label>11.</label><mixed-citation>Swihart J.C. // J. Appl. Phys. 1961.V. 32. № 3. P. 461. https://doi.org/10.1063/1.1736025</mixed-citation></ref><ref id="B12"><label>12.</label><mixed-citation>Mattis D.C., Bardeen J. // Phys. Rev. 1958. V. 111. № 2. P. 412. https://doi.org/10.1103/PhysRev.111.412</mixed-citation></ref><ref id="B13"><label>13.</label><mixed-citation>Kerr A.R., Pan S.K. // Int. J. Infrared Millimeter Waves. 1990. V. 11. № 10. P. 1169. https://doi.org/10.1007/BF01014738</mixed-citation></ref><ref id="B14"><label>14.</label><mixed-citation>Belitsky V., Risacher C., Pantaleev M., Vassilev V. // Intern. J. Infrared Millimeter Waves. 2006. V. 27. № 1. P. 809. https://doi.org/10.1007/s10762-006-9116-5</mixed-citation></ref><ref id="B15"><label>15.</label><mixed-citation>Likharev K.K. Dynamics of Josephson Junctions and Circuits. Amsterdam: OPA, 1986.</mixed-citation></ref></ref-list></back></article>
