Journal of Communications Technology and ElectronicsJournal of Communications Technology and ElectronicsРадиотехника и электроника0033-84943034-5901The Russian Academy of Sciences65052610.31857/S0033849423050042UHNGGNPHYSICAL PROCESSES IN ELECTRONIC DEVICESФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХUnknownDerivation of Relationships of Currents in External Circuit and Parameters of SamplВыводы соотношений между токами во внешней цепи и параметрами образцовDmitrievS. G.ДмитриевС. Г.sgd@ms.ire.rssi.ruKotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics (Fryazino Branch),Russian Academy of SciencesФрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН0105202368548248631012025Copyright ©; 2023, С.Г. ДмитриевCopyright ©; 2023, С.Г. Дмитриев2023С.Г. ДмитриевС.Г. Дмитриевhttps://innoscience.ru/0033-8494/article/view/650526

Several methods to derive relationships between currents in the external circuit and variations in parameters of samples that induce such currents are considered. The relationships generalize the Shockley–Ramo theorem and may serve as a development of Kirchhoff laws for electrical circuits.

Рассмотрены различные способы вывода соотношений между токами во внешней цепи и изменениями параметров образцов, которые индуцируют эти токи. Соотношения такого рода обобщают теорему Шокли–Рамо и могут служить развитием законов Кирхгофа для электрических цепей.

currentShockley–Ramo theoremKirchhoff lawsShockley W. // J. Appl. Phys. 1938. V. 9. № 10. P. 635.Ramo S. // Proc. IRE. 1939. V. 27. № 9. P. 584.Jen C.K. // Proc. IRE. 1941. V. 29. № 6. P. 345.Beck A.H.W. Thermionic Valves: their Theory and Design. Cambridge: Cambridge Univ. Press, 1953.Сивухин Д.В. Общий курс физики. Т. 3. Электричество. М.: Физматлит, 2002.Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика. Т. 8. Электродинамика сплошных сред. М.: Физматлит, 2005.Pellegrini B. // Phys. Rev. B. 1986. V. 34. № 8. P. 5921.Yoder P.D., Gärtner K., Fichtner W. // J. Appl. Phys. 1996. V. 79. № 4. P. 1951.Cavalleri G., Fabri G., Gatti E., Svelto V. // Nucl. Instr. Meth. 1963. V. 21. P. 177.Cavalleri G., Gatti E. Fabri G., Svelto V. // Nucl. Instr. Meth. 1971. V. 92. № 1. P. 137.Visschere P. De. // Sol.-Stat. Electronics. 1990. V. 33. № 4. P. 455.Kim H., Min H.S., Tang T.W., Park Y.J. // Sol.-Stat. Electronics. 1991. V. 34. № 11. P.1251.He Z. // Nucl. Instr. Meth. in Phys. Research A. 2001. V. 463. № 1–2. P. 250.Дмитpиeв C.Г. // PЭ. 2018. T. 63. № 10. C. 1115.Дмитpиeв C.Г. // PЭ. 2019. T. 64. № 9. C. 926.Jeans J.H. The Mathematical Theory of Electricity and Magnetism. Cambridge: Cambridge University Press, 1927.Смайт В. Электростатика и электродинамика. М.: Изд-во иностр. лит., 1954.Владимиров В.С., Жариков В.В. Уравнения математической физики. М.: Физматлит, 2004.Green G. An Essay on the Application of Mathematical Analysis to the Theories of Electricity and Magnetism. Nottingham: T. Wheelhouse, 1828.Любимов Ю.А. // Успехи физ. наук. 1994. Т. 164. № 1. С. 105.Дмитpиeв C.Г. // PЭ. 2020. T. 65. № 7. C. 725.Cavendish H. // Phil. Trans. 1771. V. 61. P. 584.Cavendish H. The Electrical Researches of the honourable Henry Cavendish. Cambridge: Cambridge Univ. Press, 1879.Thomson W. // Phil. Mag. 1853. V. 5. № 34. P. 393.North D.O. // Proc. IRE. 1936. V. 24. № 1. P. 108.Гвоздовер С., Лопухин В. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1946. Т. 10. № 1. С. 29.Лопухин В. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1946. Т. 10. № 1. С. 111.Коваленко В.Ф. Введение в электронику сверхвысоких частот. М.: Сов. радио, 1955.Лопухин В.М. Возбуждение электромагнитных колебаний и волн электронными потоками. М.: Гостехиздат, 1953.Tavernier S. Experimental Techniques in Nuclear and Particle Physics. L: Springer, 2010.Дмитриев С.Г. // ФТП. 2009. Т. 43. № 6. С. 854.Дмитpиeв C.Г. // PЭ. 2012. T. 57. № 11. C. 1229.Eisenberg B., Nonner W. // J. Comput. Electron. 2007. V. 6. № 1–3. P. 363.Добрецов Л.Н., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника. М.: Наука, 1966.Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1990.Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984.Nicollian E.R., Brews J.R. MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) Physics and Technology. N.Y.: J. Wiley & Sons, 1982.Дмитpиeв C.Г. // PЭ. 2022. T. 67. № 4. C. 411.Дмитpиeв C.Г. // PЭ. 2022. T. 67. № 2. C. 181.