The microwave coefficients of copper films with a thickness of 1...16 nm grown on a 1.8 nm germanium sublayer deposited on the surface of quartz glass substrates with a thickness of 4 mm are studied. The measurements have been carried out in a rectangular waveguide with a cross section of 23×10 mm2 in the frequency range of 8.5...12.5 GHz. A smooth change in the microwave coefficients of the samples studied is detected in the range of copper film thicknesses of 2...16 nm. It is established that the critical percolation thickness of the copper films grown on germanium sublayer is in the range between 1 and 2 nm. A significant internal size effect is found in the films grown on Ge sublayer due to the scattering of conduction electrons mainly by intercrystalline boundaries. It is determined that the coefficient of reflection of conduction electrons by the intercrystalline boundaries of the copper films with Ge sublayer is more than three times higher than a similar coefficient in Cu films grown directly on the glass substrates.
Исследованы оптические коэффициенты пленок меди толщиной 1…16 нм, выращенных на подслое германия, напыленного на поверхность подложек из кварцевого стекла толщиной 4 мм. Измерения выполнены в прямоугольном волноводе сечением 23 × 10 мм2 в диапазоне частот 8.5…12.5 ГГц. В диапазоне толщин 2…16 нм обнаружено плавное изменение оптических коэффициентов пленок меди, выращенных на германиевом подслое. Установлено, что перколяционная толщина медных пленок, выращенных на подслое германия, заключена в диапазоне между 1 и 2 нм. Обнаружен сильный размерный эффект в пленках, выращенных на Ge-подслое, обусловленный рассеянием электронов проводимости преимущественно на межкристаллитных границах. Установлено, что коэффициент отражения электронов от межкристаллитных границ в пленках с Ge-подслоем более чем в три раза превосходит аналогичный коэффициент в пленках, выращенных непосредственно на подложке.