<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE root>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">Journal of Communications Technology and Electronics</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="en">Journal of Communications Technology and Electronics</journal-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Радиотехника и электроника</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn publication-format="print">0033-8494</issn><issn publication-format="electronic">3034-5901</issn><publisher><publisher-name xml:lang="en">The Russian Academy of Sciences</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="publisher-id">650680</article-id><article-id pub-id-type="doi">10.31857/S0033849424050115</article-id><article-id pub-id-type="edn">IKYWJI</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="toc-heading" xml:lang="en"><subject>PHYSICAL PROCESSES IN ELECTRONIC DEVICES</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="toc-heading" xml:lang="ru"><subject>ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="article-type"><subject>Research Article</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Empirical estimation of the frequency’s domain of susceptibility of electronic devices by the method of the striking electromagnetic influence</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Эмпирическая оценка частотной области уязвимости электронных технических средств методом ударного электромагнитного воздействия</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><name-alternatives><name xml:lang="en"><surname>Ostashev</surname><given-names>V. E.</given-names></name><name xml:lang="ru"><surname>Осташев</surname><given-names>В. Е.</given-names></name></name-alternatives><address><country country="RU">Russian Federation</country></address><email>ostashev@ihed.ras.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><name-alternatives><name xml:lang="en"><surname>Ulyanov</surname><given-names>A. V.</given-names></name><name xml:lang="ru"><surname>Ульянов</surname><given-names>А. В.</given-names></name></name-alternatives><address><country country="RU">Russian Federation</country></address><email>ostashev@ihed.ras.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff1"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff1"><aff><institution xml:lang="en">Joint Institute for High Temperatures of Russian Academy of Scientist</institution></aff><aff><institution xml:lang="ru">Объединенный институт высоких температур РАН</institution></aff></aff-alternatives><pub-date date-type="pub" iso-8601-date="2024-05-15" publication-format="electronic"><day>15</day><month>05</month><year>2024</year></pub-date><volume>69</volume><issue>5</issue><fpage>473</fpage><lpage>479</lpage><history><date date-type="received" iso-8601-date="2025-01-31"><day>31</day><month>01</month><year>2025</year></date></history><permissions><copyright-statement xml:lang="en">Copyright ©; 2024, Russian Academy of Sciences</copyright-statement><copyright-statement xml:lang="ru">Copyright ©; 2024, Российская академия наук</copyright-statement><copyright-year>2024</copyright-year><copyright-holder xml:lang="en">Russian Academy of Sciences</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="ru">Российская академия наук</copyright-holder></permissions><self-uri xlink:href="https://innoscience.ru/0033-8494/article/view/650680">https://innoscience.ru/0033-8494/article/view/650680</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>Problem of immunity of the electronic devices under powerful electromagnetic emission as well as mechanism of device response at out-of-band emission influence are discussed. Parameters which characterize level of emission influence on device are indicated. The method of the empirical estimation of threshold level of these parameters, which characterize immunity of device under the influence of ultra-wideband (UWB) emission is proposed.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Рассмотрена проблема обеспечения работоспособности электронных технических средств (ЭТС) при воздействии мощного электромагнитного излучения, в частности, рассмотрен механизм отклика ЭТС на внеполосное воздействие излучения. Указаны параметры излучений, характеризующие уровень их воздействия на ЭТС. Предложена методика эмпирической оценки пороговых значений этих параметров, которые характеризуют стойкость ЭТС к воздействию сверхширокополосного излучения.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="en"><kwd>UWB radiation</kwd><kwd>electronic device</kwd><kwd>immunity under emission influence</kwd><kwd>level of emission influence</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>сверхширокополосное излучение</kwd><kwd>электронные устройства</kwd><kwd>стойкость к воздействию излучения</kwd><kwd>уровень воздействия</kwd></kwd-group><funding-group><award-group><funding-source><institution-wrap><institution xml:lang="ru">Правительство Российской Федерации</institution></institution-wrap><institution-wrap><institution xml:lang="en">Government of the Russian Federation</institution></institution-wrap></funding-source></award-group></funding-group></article-meta></front><body></body><back><ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation>Foster J.S., Jr., Gjelde E., Graham W.R. et al. Report of the Commission to Assess the Threat to the United States from Electromagnetic Pulse (EMP) Attack. Critical National Infrastructures.Bernan, 2008. 218 p. http://www.empcommission.org/docs/A2473-EMP_Commission-7MB.pdf</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation>Camp M., Garbe H., Nitsch D. // IEEE Intern. Symp. on EMC. Minneapolis. 19–23 Aug. 2002. N.Y.: IEEE, 2002. P. 87.</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>3.</label><mixed-citation>Вдовин В.А., Кулагин В.В., Черепенин В.А. // Электромагнитные волны и электрон. системы. 2003. Т. 8. № 1. С. 64.</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>4.</label><mixed-citation>Bäckström M.G., Lövstrand K.G. // IEEE Trans. 2004. V. EMC-46. № 3. P. 396.</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>5.</label><mixed-citation>Nitsch D., Camp M., Sabath F. et.al. // IEEE Trans. 2004. V. EMC-46. № 3. P. 380.</mixed-citation></ref><ref id="B6"><label>6.</label><mixed-citation>Тяпин М.С., Мырова Л.О. // Информ. и телекоммун. технологии. 2006. № 2. С. 20.</mixed-citation></ref><ref id="B7"><label>7.</label><mixed-citation>Baum C.E. // IEEE Trans. 2007. V. EMC-49. № 2. P. 211.</mixed-citation></ref><ref id="B8"><label>8.</label><mixed-citation>Добыкин В.Д., Куприянов А.И., Пономарев В.Г., Шустов Л.Н. Радиоэлектронная борьба. Силовое поражение радиоэлектронных систем. М.: Вузовская книга, 2007.</mixed-citation></ref><ref id="B9"><label>9.</label><mixed-citation>Бобрешов А.М., Дыбой А.В., Коровченко И.С. и др. // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2008. Т. 11. № 3. С. 60.</mixed-citation></ref><ref id="B10"><label>10.</label><mixed-citation>Симакин С.В., Ларионенко А.В. // Технологии ЭМС. 2009. № 3. С. 23.</mixed-citation></ref><ref id="B11"><label>11.</label><mixed-citation>Hwang S.M., Hong J.I., Han S.-M. // J. Electromagn. Waves Appl. 2010. V. 24. № 8. P. 1059.</mixed-citation></ref><ref id="B12"><label>12.</label><mixed-citation>Добыкин В.Д. // РЭ. 2011. Т. 56. № 2. С. 236.</mixed-citation></ref><ref id="B13"><label>13.</label><mixed-citation>Ключник А.В., Пирогов Ю.А., Солодов А.В. // Журн. радиоэлектроники (электрон. журн.). 2013. № 1. http://jre.cplire.ru/jre/yan13/18/text.pdf</mixed-citation></ref><ref id="B14"><label>14.</label><mixed-citation>Усыченко В.Г., Сорокин Л.Н. Стойкость сверхвысокочастотных радиоприемных устройств к электромагнитным воздействиям. М.: Радиотехника, 2017.</mixed-citation></ref><ref id="B15"><label>15.</label><mixed-citation>Здухов Л.Н., Парфенов Ю.В., Тарасов О.А., Чепелев В.М. // Технологии ЭМС. 2018. № 2. С. 22.</mixed-citation></ref><ref id="B16"><label>16.</label><mixed-citation>Toan N.V., Tung D.M., So J., Lee J.-G. // Adv. Electrical and Computer Engineering. 2019. V. 19. № 2. P. 37.</mixed-citation></ref><ref id="B17"><label>17.</label><mixed-citation>Осташев В.Е., Ульянов А.В. // Журн. радиоэлектроники (электрон. журн.). 2019. № 2. http://jre.cplire.ru/jre/feb19/13/text.pdf</mixed-citation></ref><ref id="B18"><label>18.</label><mixed-citation>ГОСТ Р 51317.2.5–2000. “Совместимость технических средств электромагнитная”. М.: Изд-во стандартов, 2001.</mixed-citation></ref><ref id="B19"><label>19.</label><mixed-citation>Electromagnetic Environmental Effects Requirements for Systems. Department of defense interface standard MIL-STD-464C. Washington, 2010. 165 p. https://www.ema3d.com/wp-content/uploads/downloads/MIL-STD-464C.pdf</mixed-citation></ref><ref id="B20"><label>20.</label><mixed-citation>ГОСТ 26883–86. Внешние воздействующие факторы. Термины и определения. М.: Стандартинформ, 2008.</mixed-citation></ref><ref id="B21"><label>21.</label><mixed-citation>Осташев В.Е., Ульянов А.В. // Технологии ЭМС. 2018. № 4. С. 57.</mixed-citation></ref><ref id="B22"><label>22.</label><mixed-citation>Баскаков С.И. Радиотехнические цепи и сигналы. М.: Высш. школа, 1983.</mixed-citation></ref><ref id="B23"><label>23.</label><mixed-citation>Осташев В.Е., Ульянов А.В., Федоров В.М. // РЭ. 2020. Т. 65. № 3. С. 234.</mixed-citation></ref><ref id="B24"><label>24.</label><mixed-citation>Осташев В.Е., Ульянов А.В. // РЭ. 2021. Т. 66. № 11. С. 1.</mixed-citation></ref></ref-list></back></article>
