Journal of Communications Technology and ElectronicsJournal of Communications Technology and ElectronicsРадиотехника и электроника0033-84943034-5901The Russian Academy of Sciences65070310.31857/S0033849424030085JUYVNYNEW ELECTRONIC SYSTEMS AND ELEMENTSНОВЫЕ РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ СИСТЕМЫ И ЭЛЕМЕНТЫResearch ArticleAnalysis of a passive frequency mixer with current control by using protective intervals of heterodyne signalsАнализ пассивного смесителя частот с управлением по току при использовании защитных интервалов сигналов гетеродинаTranT. D.ЧанТ. Д.
Russian Federation
korotkov@spbstu.ruKorotkovA. S.КоротковА. С.
Russian Federation
korotkov@spbstu.ruPeter the Great St-Petersburg Polytechnic UniversityСанкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого1403202469328829831012025Copyright ©; 2024, Russian Academy of SciencesCopyright ©; 2024, Российская академия наук2024Russian Academy of SciencesРоссийская академия наукhttps://innoscience.ru/0033-8494/article/view/650703

A generalized technique for analyzing a current-controlled passive frequency mixer circuit using guard intervals between adjacent heterodyne signal pulses is proposed. The results of calculations and simulations in the Micro-Cap environment are presented for two cases of mixer input impedance: RLC circuit, RC circuit. The dependences of the modulus of the transfer impedance of the mixer for various durations of protective intervals are considered.

Предложена обобщенная методика анализа схемы пассивного смесителя частот с управлением по току при использовании защитных интервалов между соседними импульсами сигналов гетеродина. Приведены результаты расчета и моделирования в среде Micro-Cap для двух случаев входного импеданса смесителя: RLC-контур, RC-цепь. Рассмотрены зависимости модуля передаточного импеданса смесителя для различных длительностей защитных интервалов.

passive frequency mixerheterodynetransfer mixer moduleprotective intervalпассивный смеситель частотгетеродинмодуль передаточного смесителязащитный интервалМинистерство науки и высшего образования Российской ФедерацииMinistry of Science and Higher Education of the Russian Federation075-15-2022-31Lin F., Mak P. I., Martins R. P. // IEEE Circuitsand Systems Magazine. 2015. V. 15. № 1. P. 12.Wu H., Murphy D., Darabi H. // IEEE J. of Solid-State Circuits. 2019. V. 54. № 3. P. 796.Han J., Kwon K. // IEEE Trans. 2020. V. CS-I-67. № 6. P. 1881.Bae S., Kim D., Kim D. et al. // IEEE Trans. 2021. V. CS-I-68. № 2. P. 892.Darabi H., Abidi A. A. // IEEE J. of Solid-State Circuits. 2000. V. 35. № 1. P. 15.Chehrazi S., Mirzaei A., Abidi A. A. // IEEE Trans.2010. V. CS-I-57. № 2. P. 332.Chehrazi S., Mirzaei A., Abidi A. A. // IEEE Trans. 2009. V. CS-I-56. № 12. P. 2556.Коротков А. С., Чан Т. Д. // РЭ. 2023. Т. 68. № 1. С. 83.Kenneth S. M. // Mathem. Magazine. 1981. V. 54. № 2. P. 67.