Fryazino branch
Фрязинский филиал
Fryazino branch
Фрязинский филиал
Fryazino branch
Фрязинский филиал
Fryazino branch
Фрязинский филиал
An algorithm has been developed for determining from experimental field dependences the high–frequency impedance of silicon structures with an ultrathin (less than 5 nm) SiO2 layer of the insulating gap capacity and concentration of dopant directly at the Si-SiO2 interface. Relations allowing to estimate marginal errors of the developed approach are obtained. The proposed method is applied to experimental characteristics of the metal–oxide–semiconductor structure with a thickness of SiO2 4.2 nm. It is shown that the developed algorithm has sufficiently high accuracy and accessibility for use in processing high-frequency measurement data.
Разработан алгоритм определения из экспериментальных полевых зависимостей высокочастотного импеданса кремниевых структур со сверхтонким (менее 5 нм) слоем SiО2 емкости изолирующего промежутка и концентрации легирующей примеси непосредственно у границы раздела Si–SiО2. Получены соотношения, позволяющие оценить предельные погрешности развитого подхода. Предложенный метод применен к экспериментальным характеристикам структуры металл–окисел–полупроводник с толщиной SiО2 4.2 нм. Показано, что разработанный алгоритм имеет достаточно высокие точность и доступность для использования при обработке данных высокочастотных измерений.