Fryazino branch
Фрязинский филиал
Fryazino branch
Фрязинский филиал
Fryazino branch
Фрязинский филиал
Based on the phenomenological model of high–frequency impedance, the shape of field characteristics and values of capacitances and conductivities measured in experiments on a metal–dielectric-semiconductor structure with a three-layer insulating layer of two different ferroelectrics and silicon oxide are analyzed. It is shown that the typical form of impedance characteristic graphs with two plateaus in the region of negative and positive field voltages for structures with an insulator made of ferroelectrics or dielectrics does not indicate the dielectric quality of an insulating gap. It is noted that the presence of two plateaus in experimental graphs of the high-frequency voltage-capacitance-characteristic and the field dependence of the conductivity of these structures is not evidence of the implementation of deep depletion and strong enrichment states in a semiconductor. It is indicated that abnormally large values of measured impedance components, compared with those calculated on the basis of the geometric capacitance of the insulating layer, may be associated with the high, close to metallic, conductivity of the oxide film.
На базе феноменологической модели высокочастотного импеданса проанализированы форма полевых характеристик и значения емкостей и проводимостей, измеренных в опытах на структуре металл–диэлектрик–полупроводник с трехслойным изолирующим слоем из двух разных сегнетоэлектриков и окисла кремния. Показано, что типичная для структур с изолятором из сегнетоэлектриков или диэлектриков форма графиков характеристик импеданса с двумя плато в области отрицательных и положительных полевых напряжений не свидетельствует о диэлектрическом качестве изолирующего промежутка. Отмечено, что наличие двух плато на экспериментальных графиках высокочастотных вольт-фарадной характеристики и полевой зависимости проводимости данных структур не является доказательством реализации режимов глубокого обеднения и сильного обогащения в полупроводнике. Указано, что аномально большие, по сравнению с вычисленной на основе геометрической емкости изолирующего слоя, значения измеряемых составляющих импеданса могут быть связаны с высокой, близкой к металлической, проводимостью пленки окисла.