Journal of Communications Technology and ElectronicsJournal of Communications Technology and ElectronicsРадиотехника и электроника0033-84943034-5901The Russian Academy of Sciences68146510.31857/S0033849424070106HYQSTRPHYSICAL PROCESSES IN ELECTRONIC DEVICESФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХResearch ArticleDynamics of dimensional resonance of intrinsic picosecond emission in the heterostructure of AlxGa1-xAs–GaAs–AlxGa1-xAs, in which this emission induces a photonic crystal and oscillations of electron populationДинамика размерного резонанса собственного стимулированного пикосекундного излучения в гетероструктуре AlXGa1-XAs–GaAs–AlXGa1-XAs, в которой это излучение наводит фотонный кристалл и осцилляции населенности электроновAgeevaN. N.АгееваН. Н.
Russian Federation
bil@cplire.ruBronevoiI. L.БроневойИ. Л.
Russian Federation
bil@cplire.ruKrivonosovA. N.КривоносовА. Н.
Russian Federation
bil@cplire.ruKotelnikov Institute of Radioengeneering and Electronics, Russian Academy of SciencesИнститут радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова РАН1507202469767868530052025Copyright ©; 2024, Russian Academy of SciencesCopyright ©; 2024, Российская академия наук2024Russian Academy of SciencesРоссийская академия наукhttps://innoscience.ru/0033-8494/article/view/681465

A correlated effect of the size resonance on the parameters of the pulse envelope of the spectral component of stimulated picosecond emission of the AlxGa1-xAs–GaAs–AlxGa1-xAs heterostructure has been discovered. This emission induces a Bragg grating of electron population in the active region of the GaAs layer, making the region a photonic crystal, and excites population oscillations over time. It has been established that the new type of size resonance studied is most often a consequence of the law of minimum dissipation.

Обнаружено коррелированное влияние размерного резонанса на параметры огибающей импульса спектральной компоненты стимулированного пикосекундного излучения гетероструктуры AlxGa1-xAs–GaAs–AlxGa1-xAs, которое наводит брэгговскую решетку населенности электронов в активной области слоя GaAs, делая последнюю фотонным кристаллом, и возбуждает осцилляции населенности со временем. Установлено, что чаще новый изучаемый вид размерного резонанса — это следствие закона минимальной диссипации.

Dynamicsdimensional resonanceheterostructurestimulated picosecond emissionphotonic crystalelectron population oscillations in a semiconductoremission modulationlaw of minimum dissipationДинамикаразмерный резонансгетероструктурастимулированное пикосекундное излучениефотонный кристаллосцилляции населенности электронов в полупроводникемодуляция излучениязакон минимальной диссипацииПравительство Российской ФедерацииGovernment of the Russian FederationАгеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н. // ЖЭТФ. 2022. Т. 162. № 6. С. 1018.Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н. и др. // ФТП. 2005. Т. 39. № 6. С. 681.Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н. // РЭ. 2024. Т. 69. № 2. С. 187.Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Кривоносов А.Н. // РЭ. 2023. Т. 68. № 3. С. 211.Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Забегаев Д.Н., Кривоносов А.Н. // ЖЭТФ. 2013. Т. 144. № 2. С. 227.