Journal of Communications Technology and ElectronicsJournal of Communications Technology and ElectronicsРадиотехника и электроника0033-84943034-5901The Russian Academy of Sciences68239010.31857/S0033849424120078HNBCTNНАНОЭЛЕКТРОНИКАResearch ArticleFeatures of nonequilibrium pinning of charge density waves in compounds HoTe3 and TmTe3Особенности неравновесного пиннинга волны зарядовой плотности в соединениях HoTe3 и TmTe3VoropaevD. M.ВоропаевД. М.
Russian Federation
voropaev.dm@phystech.eduFrolovA. V.ФроловА. В.
Russian Federation
voropaev.dm@phystech.eduOrlovA. P.ОрловА. П.
Russian Federation
voropaev.dm@phystech.eduSinchenkoA. A.СинченкоА. А.
Russian Federation
voropaev.dm@phystech.eduKotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics of RASИнститут радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАНMoscow Institute of Physics and Technology (National Search University)Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)Institute of Nanotechnology of Microelectronics of RASИнститут нанотехнологий микроэлектроники РАН1512202469121191119703062025Copyright ©; 2024, Russian Academy of SciencesCopyright ©; 2024, Российская академия наук2024Russian Academy of SciencesРоссийская академия наукhttps://innoscience.ru/0033-8494/article/view/682390

In this paper, the similarity of glass systems with pinning in compounds with a charge density wave (CDW) TmTe3 and HoTe3 was investigated. For this purpose, the differential IVs in micro-bridge structures oriented along the sliding direction of the CDW, with a multi-stage temperature change, were studied. In such a system with a sliding CDW, the changing behavior of the threshold field during isothermal exposure was shown, with characteristic relaxation on a logarithmic time scale. A property characteristic of glass systems has been found – the memory effect, which allows us to assert the unusual glass nature of the system of pinning centers in this system.

Исследовано сходство стекольных систем с пиннингом в соединениях с волной зарядовой плотности (ВЗП) TmTe3 и HoTe3. Измерены дифференциальные вольт-амперные характеристики в микромостиковых структурах, ориентированных вдоль направления скольжения ВЗП, при многоступенчатом изменении температур. Продемонстрировано изменяющееся поведение порогового поля в процессе изотермической выдержки в системе со скользящей ВЗП, с характерной релаксацией в логарифмическом масштабе времени. Обнаружено свойство, присущее стекольным системам – эффект памяти, что позволяет утверждать о необычной стекольной природе системы центров пиннинга ВЗП в данных материалах.

Charge-density-wavestwo-dimensional structuresmemory effectволна зарядовой плотностидвумерные соединенияэффект памятиРоссийский научный фондRussian Science Foundation22-22-00331Grüner G. // Rev. Modern Phys. 1988. V. 60. № 4. P. 1129.Monceau P. // Adv. Phys. 2012. V. 61. № 4. P. 325.Monceau P., Ong N. P., Portis A. M. et al. // Phys. Rev. Lett. 1976. V. 37. № 10. P. 602.Sinchenko A. A., Lejay P., Monceau P. // Phys. Rev. B. 2012. V. 85. № 24. P. 241104.Sinchenko A. A., Lejay P., Leynaud O., Monceau P. // Solid State Commun. 2014. V. 188. P. 67.Nowadnick E. A., Johnston S., Moritz B. et al. // Phys. Rev. Lett. 2012. V. 109. № 24. P. 246404.Hu B. F., Cheng B., Yuan R. H. et al. // Phys. Rev. B. 2014. V. 90. № 8. P. 085105.Iyeiri Y., Okumura T., Michioka C., Suzuki K. // Phys. Rev. B. 2003. V. 67. № 14. P. 144417.Ru N., Chu J. H., Fisher I. R. // Phys. Rev. B. 2008. V. 78. № 1. P. 012410.Zocco D. A., Hamlin J. J., Grube K. et al. // Phys. Rev. B. 2015. V. 91. № 20. P. 205114.Hamlin J. J., Zocco D. A., Sayles T. A. et al. // Phys. Rev. Lett. 2009. V. 102. № 17. P. 177002.Фролов А. В., Орлов А. П., Воропаев Д. П. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2023. Т. 117. № 2. С. 171.Frolov A. V., Orlov A. P., Voropaev D. M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2021. V. 118. № 25. P. 253102.Фролов А. В., Орлов А. П., Синченко А. А., Монсо П. // Письма в ЖЭТФ. Т. 109. № 3. С. 196.Frolov A. V., Orlov A. P., Hadj-Azzem A. et al. // Phys. Rev. B. 2020. V. 101. № 15. P. 155144.Jonason K., Nordblad P., Vincent E. et al. // Eur. Phys. J. B – Cond. Matt. Complex Systems. 2000. V. 13. № 1. P. 99.Jonason K., Vincent E., Hammann J. et al. // Phys. Rev. Lett. 1998. V. 81. № 15. P. 3243.Bag P., Baral P. R., Nath R. // Phys. Rev. B. 2018. V. 98. № 14. P. 144436.Di Masi E., Foran B., Aronson M. C., Lee S. // Chem. Mater. 1994. V. 6. № 10. P. 1867.Lefloch F., Hammann J., Ocio M., Vincent E. // Europhysics Lett. 1992. V. 18. № 7. P. 647.Доценко В. С. // Успехи физ. наук. 1993. Т. 163. № 6. С. 1.