Journal of Communications Technology and ElectronicsJournal of Communications Technology and ElectronicsРадиотехника и электроника0033-84943034-5901The Russian Academy of Sciences68239110.31857/S0033849424120089HNAZCTNEW ELECTRONIC SYSTEMS AND ELEMENTSНОВЫЕ РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ СИСТЕМЫ И ЭЛЕМЕНТЫResearch ArticleDesigning and manufacturing of fractal elements based on a resistance-capacitance mediumПроектирование и изготовление фрактальных элементов на основе резистивно-емкостной средыGil’mutdinovA. Kh.ГильмутдиновА. Х.
Russian Federation
agilmutdinov@rambler.ruMaksimovK. O.МаксимовК. О.
Russian Federation
agilmutdinov@rambler.ruUshakovP. A.УшаковП. А.
Russian Federation
agilmutdinov@rambler.ruKazan National Research Technical University named after A.N. Tupolev – KAI (KNITU-KAI)Казанский национальный исследовательский технический университет им. А. Н. Туполева – КАИ (КНИТУ-КАИ)Scientific and Production Association “Radioelectronics” named after V.I. ShimkoНаучно-производственное объединение «Радиоэлектроника» им. В.И. ШимкоIzhevsk State Technical University named after M.T. KalashnikovИжевский государственный технический университет им. М. Т. Калашникова1512202469121198120503062025Copyright ©; 2024, Russian Academy of SciencesCopyright ©; 2024, Российская академия наук2024Russian Academy of SciencesРоссийская академия наукhttps://innoscience.ru/0033-8494/article/view/682391

This work presents the experience of designing and manufacturing of fractal elements (FE) based on resistance capacitance media, in particular, based on a one-dimensional structurally uniform resistance-capacitance element with distributed parameters (RC-EDP) with R-C-NR (R-C-NR ЭРП) kind of a layer structure. It also presents the results of designing and manufacturing of thick film FE samples having constant phase of impedance –10°, –20°, –30° and –40° in the frequences range of 1.5 decade order. It gives the results of the comparative analysis of phase-frequency characteristics of the input impedance of the synthesized model and the manufactured sample.

Рассмотрен опыт проектирования и изготовления фрактальных элементов (ФЭ) на основе резистивно-емкостной среды, а именно на основе одномерного структурно однородного резистивно-емкостного элемента с распределенными параметрами (RC-ЭРП) со структурой слоев вида R-C-NR (R-C-NR ЭРП). Приведены результаты проектирования и изготовления образцов толстопленочных ФЭ, имеющих постоянную фазу импеданса –10°, –20°, –30° и –40° в диапазоне частот порядка 1.5 декады. Дан сравнительный анализ фазоча-стотных характеристик входного импеданса синтезированной модели и изготовленного образца.

fractal impedancefractal elementfinal distributed elementlayer structure R-C-NRfractal element synthesisфрактальный импедансфрактальный элементконечный распределенный элементструктура слоев R-C-NRсинтез фрактального элементаГильмутдинов А. Х., Ушаков П. А., Гильметдинов М. М. // Нелинейный мир. 2008. Т. 6. № 8. С. 452.Shah Z. M., Kathjoo M. Y., Khanday F. A. et al. // Microelectron J. 2019. V. 84. P. 9. https://doi.org/10.1016/j.mejo.2018.12.010Гильмутдинов А. Х. Резистивно-емкостные элементы с распределенными параметрами: анализ, синтез и применение. Казань: КГТУ, 2005.Фрактальные элементы: пионерские конструктивно-технологические реализации. М.: Физматлит, 2020.Мокляков В. А. Синтез фрактальных элементов на основе многослойной структурно-неоднородной резистивно-емкостной среды / Автореф. дисс. … канд. техн. наук. Казань: КГТУ им. А. Н. Туполева, 2009. 19 с.Гильмутдинов А. Х., Гильметдинов М. М. // Нелинейный мир. 2014. Т. 12. № 10. С. 43.Гильмутдинов А. Х., Ушаков П. А. // РЭ. 2017. Т. 62. № 5. С. 413.Максимов К. О. Решение задачи обеспечения заданных параметров фрактальных радиоэлементов на основе резистивно-емкостной среды. Дисс… канд. техн. наук. Ижевск: Ижевский гос. тех. ун-т, 2013. 162 с.Гильмутдинов А. Х., Гоппе А. А. // Тр. научно-техн. конф. по итогам работы за 1992–93. Казань. 4–15 апреля 1994. Казань: КГТУ, 1994. С. 218.Гильмутдинов А. Х. // Вестник КГТУ им. А. Н. Туполева. 1997. № 1. С. 32.