Epitaxial NiO films on LiNbO3 substrates were produced using magnetron sputtering. Optimal conditions for deposition of NiO films to achieve their high crystalline perfection were found. Optical properties of NiO films were studied in the wavelength range of 250...800 nm. The band gap of nickel oxide was determined. Semiconductor diode structures in the form of interdigital Schottky barrier contacts to the epitaxial NiO film were fabricated. The current-voltage characteristics of the diode structures demonstrate low dark currents and the possibility of creating photodetectors for the UV part of the spectrum with a long-wavelength boundary of 340 nm on their basis.
Методом магнетронного распыления созданы эпитаксиальные пленки NiO на подложках LiNbO3. Найдены оптимальные условия напыления пленок NiO для достижения их высокого кристаллического совершенства. Исследованы оптические свойства пленок NiO в диапазоне длин волн 250…800 нм, определена ширина запрещенной зоны оксида никеля. Изготовлены полупроводниковые диодные структуры в виде встречно-штыревых Шоттки барьерных контактов металл–полупроводник–металл к эпитаксиальной пленке NiO. Вольт-амперные характеристики диодных структур демонстрируют низкие темновые токи и возможность создания на их основе фотодетекторов УФ-части спектра с длинноволновой границей 340 нм.