Journal of Communications Technology and ElectronicsJournal of Communications Technology and ElectronicsРадиотехника и электроника0033-84943034-5901The Russian Academy of Sciences69201010.7868/S3034590125070052ЭЛЕКТРОНИКА СВЧResearch ArticleConstruction of peripheral area of fingers of power RF LDMOS transistorКонструктивное исполнение периферийного участка пальцев мощных сверхвысокочастотных латеральных транзисторовAlekseevR. P.АлексеевР. П.arp@niiet.ruProlubnikovP. V.ПролубниковП. В.MaltsevV. V.МальцевВ. В.KurshevP. L.КуршевП. Л.TsotsorinA. N.ЦоцоринА. Н.SemeykinI. V.СемейкинИ. В.JSC “Scientific Research Institute of Electronic”АО «Научно-исследовательский институт электронной техники»15072025707VOL 70, NO7 (2025)ТОМ 70, №7 (2025)66467104102025Copyright ©; 2025, Russian Academy of SciencesCopyright ©; 2025, Российская академия наук2025Russian Academy of SciencesРоссийская академия наукhttps://innoscience.ru/0033-8494/article/view/692010

A review and study of the design options for the peripherals of RF LDMOS transistor fingers has been carried out. The study was carried out by means of 3D modeling in Sentaurus TCAD. As a result, the design variants allowing to provide the level of the drain-source breakdown voltage at the periphery not lower than in the working part of the finger were determined.

Проведен обзор и исследование вариантов конструктивного исполнения периферийных участков пальцев СВЧ LDMOS транзисторов. Исследование проводилось посредством 3D моделирования в САПР Sentaurus TCAD. Определены варианты конструкции, позволяющие обеспечить уровень напряжения пробоя сток-исток на периферии не ниже, чем в рабочей части пальца.

power RF transistorsLDMOStransistor finger peripherymodelingSentaurus TCADмощные СВЧ транзисторыLDMOS-технологияпериферия транзисторных пальцевмоделированиеSentaurus TCADАлексеев Р.П., Цоцорин А.Н., Черных М.И. // Электроника НТБ. 2020. Т. 00195. № 4. С. 98.Алексеев Р.П., Семейкин И.В., Цоцорин А.Н., Куршев П.Л. // Электроника НТБ. 2023. Т. 00223. № 2. С. 92.Theeuwen S.J.C.H., Mollee H., Heeres R., van Rijs F. // 2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conf. (EuMIC). Madrid. 23–25 Sept. N.Y.: IEEE, 2018. P. 162.Алексеев Р.П., Семейкин И.В., Цоцорин А.Н., Куршев П.Л. // ФТП. 2022. Т. 56. № 11. С. 1088.Tкачев А.Ю., Петров Б.К., Асессоров В.В. и др. // Вестник ВГТУ. 2010. Т. 6. № 5. С. 112.Алексеев Р.П., Быкадорова Г.В., Бормонтов Е.Н. // Энергия-XXI век. 2016. Т. 93. № 1. С. 68.Бачурин В.В., Корнеев С.В., Крымко М.М. // Способ изготовления СВЧ LDMOS-транзисторов. Патент РФ на изобретение № 2 498 448. Опубл. офиц. бюл. «Изобретения. Полезные модели» № 31 от 10.11.2013.Theeuwen S.J.C.H., van Rijs F., Hammes P.C.A. et al. // Electric Device Comprising an LDMOS Transistor. US Patent № 7 521.768 B2. Publ. 21.04.2009.De Boet J.A.M., Peuscher H.J., Bron P., Theeu- wen S.J.C.H. // LDMOS Having a Field Plate. US Patent № 8.450 802 B2. Publ. 28.05.2013.Theeuwen S.J.C.H., Qureshi J.H. // IEEE Trans. 2012. V. VTT-60 № 6. P. 1755.Chandler P.R. // High Voltage Semiconductor Device and Method of Fabrication. Patent US № 10 886 39. Publ. 05.01.2021.