The results of cellular microstructures formation in dielectric iron-garnet films are presented. We used local surface modification (etching) by focused ion beam lithography. It is shown that using a scanning electron microscope along with an ion column is effective to compensate for the surface charge while etching in iron garnets. This method does not require an additional sputtering of conductive layer onto the garnet film. The etching depth must be more than half of the initial film thickness for implementation of a monodomain state inside the cells, At the same time, the size of the initial domain structure in the film must be taken into account when choosing the lateral cell sizes.
Представлены результаты формирования ячеистых микроструктур в диэлектрических пленках ферритов-гранатов с использованием локальной модификации поверхности (травления) пленок с помощью сфокусированного ионного пучка. Показано, что для компенсации возникающего в процессе травления поверхностного заряда в ферритах-гранатах эффективно использование сканирующего электронного микроскопа одновременно при работе с ионной колонной, причем без предварительного напыления на пленку дополнительного проводящего слоя. Для реализации внутри ячеек монодоменного состояния глубина травления должна составлять более половины исходной толщины пленки, а при выборе латеральных размеров ячеек необходимо учитывать размеры исходной доменной структуры в пленке.