Journal of Communications Technology and ElectronicsJournal of Communications Technology and ElectronicsРадиотехника и электроника0033-84943034-5901The Russian Academy of Sciences69201510.7868/S3034590125070108PHYSICAL PROCESSES IN ELECTRONIC DEVICESФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХResearch ArticleThe Influence of Nonpotential Fields on Currents from External Circuit on Metal Electrodes in Frames of Shockley-Ramo TheoremВлияние непотенциальных полей на токи из внешней цепи на металлические электроды в рамках теоремы Шокли – РамоDmitrievS. G.ДмитриевС. Г.sgd@ms.ire.rssi.ruFryazino Branch Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics of RASФрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН15072025707VOL 70, NO7 (2025)ТОМ 70, №7 (2025)70070604102025Copyright ©; 2025, Russian Academy of SciencesCopyright ©; 2025, Российская академия наук2025Russian Academy of SciencesРоссийская академия наукhttps://innoscience.ru/0033-8494/article/view/692015

The possibility of extension of Shockley-Ramo theorem on the case of nonpotential fields is considered.

Рассмотрена возможность распространения теоремы Шокли – Рамо на случай непотенциальных полей.

Shockley-Ramo theoreminduced currentssuperhighfrequency devicesintegrated circuitsтеорема ШоклиРамоиндуцированные токисверхвысокочастотные приборыинтегральные цепиРабота выполнена в рамках государственного задания ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН.Shockley W. // J. Appl. Phys. 1938. V. 9. № 10. P. 635.Ramo S. // Proc. IRE. 1939. V. 27. № 9. P. 584.Jen C.K. // Proc. IRE. 1941. V. 29. № 6. P. 345.Beck A.H.W. Thermionic Valves: Their Theory and Design. Cambridge: Univ. Press, 1953.Гвоздовер С., Лопухин В. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1946. Т. 10. № 1. С. 29.Лопухин В. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1946. Т. 10. № 1. С. 111.Коваленко В.Ф. Введение в электронику сверхвысоких частот. М.: Сов. радио, 1955.Лопухин В.М. Возбуждение электромагнитных колебаний и волн электронными потоками. М.: Гостехиздат, 1953.Cavalleri G., Fabri G., Gatti E., Svelto V. // Nucl. Instr. Meth. 1963. V. 21. P. 177.Cavalleri G., Gatti E., Fabri G., Svelto V. // Nucl. Instr. Meth. 1971. V. 92. P. 137.Pellegrini B. // Phys. Rev. B. 1986. V 34. № 8. P. 5921.Yoder P.D., Gärtner K., Fichtner W. // J. Appl. Phys. 1996. V. 79. № 4. P. 1951.Visschere P.De. // Sol.-St. Electronics. 1990. V. 33. № 4. 455.Kim H., Min H.S., Tang T.W., Park Y.J. // Sol.-St. Electronics. 1991. V. 34. № 11. 1251.He Z. // Nucl. Instr. Meth. 2001. V. A 463. № 1–2. P. 250.Tavernier S. Experimental Techniques in Nuclear and Particle Physics. L.: Springer, 2010.Дмитриев С.Г. // РЭ. 2018. Т. 63. № 10. С. 1115.Дмитриев С.Г. // РЭ. 2019. Т. 64. № 9. С. 926.Eisenberg B., Nonner W. // J. Comput. Electron. 2007. V. 6. № 1–3. P. 363.Дмитриев С.Г. // РЭ. 2022. Т. 67. № 4. С. 411.Сивухин Д.В. Электричество. М.: Физматлит, 2002.Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. М.: Физматлит, 2005.Дмитриев С.Г. // РЭ. 2020. Т. 65. № 7. С. 725.Дмитриев С.Г. // РЭ. 2023. Т. 68. № 5. С. 482.Дмитриев С.Г. // РЭ. 2022. Т. 67. № 11. С. 1140.Добрецов Л.Н., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника. М.: Наука, 1966.Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1990.Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984.Nicollian E.R., Brews J.R. MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) Physics and Technology. N.Y.: J. Wiley & Sons, 1982.Владимиров В.С., Жариков В.В. Уравнения математической физики. М.: Физматлит, 2004.Дмитриев С.Г. // ФТП. 2009. Т. 43. № 6. С. 854.Дмитриев С.Г. // ФТП. 2011. Т. 45. № 2. С. 192.Дмитриев С.Г. // РЭ. 2012. Т. 57. № 11. С. 1229.Дмитриев С.Г. // РЭ. 2022. Т. 67. № 2. С. 181.Кочин Н.Е. Векторное исчисление и начала тензорного исчисления. М.: Наука, 1965.Фихтенгольц Г.М. Курс дифференциального и интегрального исчисления. Т. III. М.: Физматлит, 2001.Морс Ф.М., Фешбах Г. Методы теоретической физики. Т. I. М.: Изд-во иностр. лит., 1958.Морс Ф.М., Фешбах Г. Методы теоретической физики. Т. II. М.: Изд-во иностр. лит., 1960.Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теория поля. М.: Физматлит, 2003.