Semiconductor structures based on nickel oxide grown on LiNbO3 substrates were fabricated using magnetron sputtering. The optical properties of NiO films on LiNbO3 substrates were studied in the wavelength range of 250…800 nm, and transmission and reflection spectra of these structures were simulated. The dispersion of the complex refractive index of the grown films was obtained, which ensures good agreement between the calculated and experimental transmission and reflection curves. These studies made it possible to determine the thickness of the grown epitaxial films using optical methods and compare with the results obtained based on the film growth rate and atomic force microscopy methods.
Методом магнетронного распыления созданы полупроводниковые структуры на основе оксида никеля, выращенного на подложках ниобата лития. Исследованы оптические свойства пленок NiO на подложках LiNbO3 в диапазоне длин волн 250…800 нм и выполнено моделирование спектров пропускания и отражения таких структур. Получена дисперсия комплексного показателя преломления выращенных пленок, которая обеспечивает хорошее совпадение расчетных и экспериментальных кривых пропускания и отражения. Эти исследования и расчеты позволили определить толщины выращенных эпитаксиальных пленок оптическими методами и сравнить их с результатами, полученными исходя из скорости роста пленок, и методами атомно-силовой микроскопии.