Эффект Штарка в гетероструктуре на основе монослоя MoSe2
- Авторы: Черненко А.В.1, Бричкин А.С.1, Голышков Г.М.1
-
Учреждения:
- Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна Российской академии наук
- Выпуск: Том 88, № 2 (2024)
- Страницы: 241-246
- Раздел: Новые материалы и технологии для систем безопасности
- URL: https://innoscience.ru/0367-6765/article/view/654757
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676524020132
- EDN: https://elibrary.ru/RRLNPU
- ID: 654757
Цитировать
Аннотация
Исследовано влияние вертикального электрического поля на фотолюминесценцию инкапсулированного гексагональным нитридом бора монослоя MoSe2. В спектрах наблюдается квадратичный от приложенной разности потенциалов сдвиг линий фотолюминесценции экситонов и трионов, а также изменении их интенсивности. Найдено, что величина штарковского сдвига заметно превосходит предсказанную теоретически. Обнаружено, что энергетическое расстояние между линиями триона и экситона в спектрах меняется с величиной внешнего поля, что связано с зависимостью плотности свободных носителей заряда в монослое от поля. Этот эффект позволил определить плотность свободных носителей заряда в монослое, которая меняется с полем и лежит в диапазоне от 0.3–3.4⋅1012 см-2.
Полный текст

Об авторах
А. В. Черненко
Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна Российской академии наук
Автор, ответственный за переписку.
Email: chernen@issp.ac.ru
Россия, Черноголовка
А. С. Бричкин
Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна Российской академии наук
Email: chernen@issp.ac.ru
Россия, Черноголовка
Г. М. Голышков
Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна Российской академии наук
Email: chernen@issp.ac.ru
Россия, Черноголовка
Список литературы
- Ross J.S., Wu S., Wu H. et al. // Nature Commun. 2013. V. 4. P. 1474.
- Roch J.G., Leisgang N., Froehlicher G. et al. // Nano Lett. 2018. V. 18. P. 1070.
- Klein J., Wierzbowsk J., Regler A. et al. // Nano Lett. 2018. V. 18. P. 1070.
- Abraham N., Watanabe K., Taniguchi T., Majumdar K. // Phys. Rev. B. 2021. V. 103. No. 7. Art. No. 075430.
- Бричкин А.С., Голышков Г.М., Черненко А.В. // ЖЭТФ. 2023. Т. 163. P. 852; Brichkin A.S., Golyshkov G.M., Chernenko A.V. // JETP. 2023. V. 136. P. 760.
- Miller D.A.B., Chemla D.S., Damen T.C. et al. // Phys. Rev. B. 1985. V. 32. P. 1043.
- Pederson T.G. // Phys. Rev. B. 2016. V. 94. Art. No. 125424.
- Laturia A.M., Van de Put M., Vandenberghe W. et al. // NPJ2D Mater. Appl. 2018. V. 2. Art. No. 6.
- Chernikov A., van der Zande M.A., Hill H.M. et al. // Phys. Rev. Lett. 2015. V. 115. No. 2. Art. No. 126802.
- Sup Choi M., Lee G.H., Yu Y.J. et al. // Nature Commun. 2013. V. 4. P. 1624.
- Wang H., Wu Y., Cong C. et al. // ASC Nano. 2010. V. 4. P. 7221.
- Epping A., Banszerus L., Guettinger J. // J. Phys. Cond. Matter. 2018. V. 30. Art. No. 205001.
- Ju L., Velasco J., Huang E. et al. // Nature Nanotechnol. 2014. V. 9. P. 348.
- Lochmann T., von Klitzing K., Smet J.H. // Nano Lett. 2009. V. 9. P. 1973.
Дополнительные файлы
