Автор туралы ақпарат
Ковешников, Ч. В.
| Шығарылым | Бөлім | Атауы | Файл |
| № 1 (2024) | Articles | Composition of silicon jointly doped with impurity atoms of gallium and phosphorus |
Пайдаланушы
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
X-ray diffraction
X-ray photoelectron spectroscopy
atomic force microscopy
compact neutron source
density functional theory
electron microscopy
electronic structure
ion implantation
irradiation
magnetron sputtering
microstructure
neutron reflectometry
phase composition
scanning electron microscopy
silicon
structure
surface
surface morphology
synchrotron radiation
thin films
zinc oxide
Ағымдағы шығарылым
№ 12 (2024)
×
Пайдаланушы
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
X-ray diffraction
X-ray photoelectron spectroscopy
atomic force microscopy
compact neutron source
density functional theory
electron microscopy
electronic structure
ion implantation
irradiation
magnetron sputtering
microstructure
neutron reflectometry
phase composition
scanning electron microscopy
silicon
structure
surface
surface morphology
synchrotron radiation
thin films
zinc oxide
Ағымдағы шығарылым