Контактная разность потенциалов в отсутствие тока через образец в режиме квантового эффекта холла в гетероструктуре InGaAs/InAlAs

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Представлены экспериментальные результаты возникновения напряжения на потенциальных контактах в отсутствие внешнего тока через образец в области плато квантового эффекта Холла в гетероструктуре с квантовой ямой InGaAs/InAlAs. Возникновение напряжения связано с неэквивалентностью протекания краевого тока в потенциальных контактах в магнитном поле в системе с двумерным электронным газом.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

С. В. Гудина

Институт физики металлов УрО РАН

Email: neverov@imp.uran.ru
Россия, ул. С. Ковалевской, 18, Екатеринбург, 620108

В. Н. Неверов

Институт физики металлов УрО РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: neverov@imp.uran.ru
Россия, ул. С. Ковалевской, 18, Екатеринбург, 620108

К. В. Туруткин

Институт физики металлов УрО РАН

Email: neverov@imp.uran.ru
Россия, ул. С. Ковалевской, 18, Екатеринбург, 620108

И. С. Васильевский

Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”

Email: neverov@imp.uran.ru
Россия, Каширское шоссе, 31, Москва, 115409

А. Н. Виниченко

Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”

Email: neverov@imp.uran.ru
Россия, Каширское шоссе, 31, Москва, 115409

Список литературы

  1. Dolgopolov V.T., Shashkin A.A., Zhitenev N.B., Dorozhkin S.I., Klitzing K.V. Quantum Hall effect in the absence of edge currents // Phys. Rev. B. 1992. V. 46. P. 12 560–12 567.
  2. Huels J., Weis J., Smet J., Klitzing K.V., Wasilewski Z.R. Long time relaxation phenomena of a two-dimensional electron system within integer quantum Hall plateau regimes after magnetic field sweeps // Phys. Rev. B. 2004. V. 69. P. 085 319(6).
  3. Похабов Д.А., Погосов А.Г., Буданцев М.В., Жданов Е.Ю., Бакаров А.К. Неравновесный химический потенциал в двумерном электронном газе в режиме квантового эффекта Холла // ФТП. 2016. Т. 50. С. 1070–1074.
  4. В.А. Кульбачинский, неопубликованые данные.
  5. Гудина С.В., Арапов Ю.Г., Ильченко Е.В., Неверов В.Н., Савельев А.П., Подгорных С.М., Шелушинина Н.Г., Якунин М.В., Васильевский И.С., Виниченко А.Н. Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs // ФТП. 2018. V. 52. P. 1447–1455.
  6. Калашников С.Г. Электричество. М.: Наука, 1970. 668 с.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать
2. Рис. 1. Фотография образца.

Скачать (30KB)
Метаданные
3. Рис. 2. Зависимости напряжения, регистрируемого на разных парах потенциальных контактов, от магнитного поля при T = 4.2K (а–г); зависимости продольного (Rxx) и холловского (Rxy) сопротивлений от магнитного поля, пунктирные линии проведены через центры плато квантового эффекта Холла (д); схематичный вид холловского мостика. 1–4 – потенциальные контакты, 5–6 – токовые контакты (е).

Скачать (34KB)
Метаданные
4. Рис. 3. Зависимости напряжения на потенциальных контактах 3–4 от магнитного поля при температурах 4.2 K (серая кривая, незакрашенные символы) и 1.8 К (синяя кривая, закрашенные символы). Черной жирной линией обозначено холловское сопротивление при T=4.2 K (правая ось). Цифрами указаны номера плато КЭХ.

Скачать (17KB)
Метаданные