Compensation of magnetostatic interaction between magnetic layers in a spin tunnel element
- Авторлар: Vasilyev D.V.1, Polyakov O.P.2,3, Polyakov P.A.4, Amelichev V.V.1, Kasatkin S.I.2, Kostyuk D.V.1
-
Мекемелер:
- Scientific-manufacturing complex “Technological Centre”
- V. A. Trapeznikov Institute of Control Sciences of the Russian Academy of Sciences
- S Faculty of Physics, Lomonosov Moscow State University
- Lomonosov Moscow State University
- Шығарылым: Том 88, № 11 (2024)
- Беттер: 1705–1709
- Бөлім: Electromagnetic field and materials (fundamental physical research)
- URL: https://innoscience.ru/0367-6765/article/view/682556
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676524110063
- EDN: https://elibrary.ru/FLRAWC
- ID: 682556
Дәйексөз келтіру
Аннотация
A method is proposed to significantly reduce the influence of the magnetostatic magnetic field of a fixed magnetic field on the free layer of a spin tunnel element. The method is based on the use of a free layer, the size of which exceeds the fixed layer, due to which a significant reduction in the influence of the magnetostatic field is achieved.
Авторлар туралы
D. Vasilyev
Scientific-manufacturing complex “Technological Centre”
Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: D.Vasilyev@tcen.ru
Ресей, Moscow, 124498
O. Polyakov
V. A. Trapeznikov Institute of Control Sciences of the Russian Academy of Sciences; SFaculty of Physics, Lomonosov Moscow State University
Email: D.Vasilyev@tcen.ru
Faculty of Physics
Ресей, Moscow, 117997; Moscow, 119991P. Polyakov
Lomonosov Moscow State University
Email: D.Vasilyev@tcen.ru
Faculty of Physics
Ресей, Moscow, 119991V. Amelichev
Scientific-manufacturing complex “Technological Centre”
Email: D.Vasilyev@tcen.ru
Ресей, Moscow, 124498
S. Kasatkin
V. A. Trapeznikov Institute of Control Sciences of the Russian Academy of Sciences
Email: D.Vasilyev@tcen.ru
Ресей, Moscow, 117997
D. Kostyuk
Scientific-manufacturing complex “Technological Centre”
Email: D.Vasilyev@tcen.ru
Ресей, Moscow, 124498
Әдебиет тізімі
- Ферт А. // УФН. 2008. Т. 178. № 12. С. 1336; Fert A. // Phys. Usp. 2008. V. 51. No. 12. P. 1336.
- Kim S.N., Cho J.W., Lim S.H. // Sci. Reports. 2019. V. 9. P. 1617.
- Ferdaus F., Talukder B.M.S.B., Sadi M., Rahman M.T. // Proc. 22nd Int. Symp. Quality Electronic Design (ISQED). 2021. P. 510.
- Girard P., Cheng Y., Virazel A. et al. // Proc. IEEE. 2021. V. 109. P. 149.
- Трушин А.С., Кичин Г.А., Звездин К.А. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 1. С. 105; Trushin A.S., Kichin G.A., Zvezdin K.A. // Bull. Russ. Acad. Sci. Ser. Phys. 2023. V. 87. No. 1. P. 88.
- Yang C.L., Lai C.H. // Sci. Reports. 2021. V. 11. Art. No. 15214.
- Inomata K., Nozaki T., Tezuka N., Sugimoto S. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. P. 310.
- Franco F., Silva M., Cardoso S., Freitas P.P. // Appl. Phys. Lett. 2021. V. 118. Art. No. 072401.
- Поляков О.П., Поляков П.А., Васильев Д.В. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 11. С. 1653; Polyakov O.P., Polyakov P.A., Vasillyev D.V. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Ser. Phys. 2023. V. 87. No. 11. P. 1711.
- Шевцов В.С., Амеличев В.В., Васильев Д.В. // Изв. РАН. Сер. физ. 2022. Т. 86. № 9. С. 1247; Shevtsov V.S., Amelichev V.V., Vasilyev D.V. // Bull. Russ. Acad. Sci. Ser. Phys. 2022. V. 86. No. 9. P. 1033.
- Bandiera S., Sousa R.C., Dahmane Y. et al. // IEEE Magn. Lett. 2010. V. 1. Art. No. 3000204.
- Юсипова Ю.А., Скиданов В.А. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 3. С. 359; Iusipova Iu.A., Skidanov V.A. // Bull. Russ. Acad. Sci. Ser. Phys. 2023. V. 87. No. 3. P. 310.
- Тамм И.Е. Основы теории электричества. М.: Наука, 1976. 616 c.
- Ахиезер А.И., Барьяхтар В.Г., Пелетминский С.В. Спиновые волны. М.: Наука, 1967. 368 c.
- Стрэттон Дж.А. Теория электромагнетизма. М.: ОГИЗ, 1948, 538 c.
- Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика. Т. VIII. Электродинамика сплошных сред. М.: Наука, 1982. 621 c.
- Амеличев В.В., Васильев Д.В., Костюк Д.В. и др. // Микроэлектроника. 2021. Т. 50. № 6. С. 461.
- Вдовичев С.Н., Грибков Б.А., Гусев С.А. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2011. T. 94. № 5. C. 418; Vdovichev S.N., Gribkov B.A., Gusev S.A. et al. // JETP Lett. 2011. V. 94. No. 5. P. 386.
- Wang S., Fujiwara H., Sun M. // JMMM. 2005. V. 295. P. 246.
- Polyakov O., Amelichev V., Zhukov D. et al. // Sensors. 2021. V. 21. P. 2118.
Қосымша файлдар
